NXP Semiconductors
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图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BTA312X-600E | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:105 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... | ||||||
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BTA312X-600E,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,开启状态 RMS 电流 (It RMS):12 A,不重复通态电流:105 A,额定重复关闭状态电压 VDR... | ||||||
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BTA312X-800B | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:105 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... | ||||||
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BTA312X-800B,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:105 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... | ||||||
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BTA312X-800C,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 105A 3-Pin (3+Tab) | ||
参数:制造商:NXP,RoHS:是,不重复通态电流:105 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):0.1 m... | ||||||
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BTA312X-800E | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:105 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... | ||||||
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BTA312X-800E,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,开启状态 RMS 电流 (It RMS):12 A,不重复通态电流:105 A,额定重复关闭状态电压 VDR... | ||||||
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BTA312Y-600C | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:110 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... | ||||||
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BTA312Y-600C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 5,000 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | |
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:110 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... | ||||||
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BTA312Y-800C | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:110 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... | ||||||
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BTA312Y-800C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:110 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... | ||||||
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BTA316-600B | NXP Semiconductors | TO-220AB-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:150 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... | ||||||
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BTA316-600B,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 5,000 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | |
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:150 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... | ||||||
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BTA316-600BT | NXP Semiconductors | TO-220AB-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:150 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... | ||||||
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BTA316-600BT,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A,不重复通态电流:150 A,额定重复关闭状态电压 VDR... | ||||||
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BTA316-600C | NXP Semiconductors | TO-220AB-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:150 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... | ||||||
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BTA316-600C,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:150 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... | ||||||
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BTA316-600D | NXP Semiconductors | TO-220AB-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:150 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... | ||||||
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BTA316-600D,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A,不重复通态电流:150 A,额定重复关闭状态电压 VDR... | ||||||
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BTA316-600E | NXP Semiconductors | TO-220AB-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:双向可控硅,RoHS:是,不重复通态电流:150 A,额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V,关闭状态漏泄电流(在 VDRM ID... |
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