NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BTA312-800CT/DG,12 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 3Q Hi-Com Triac | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220AB-3，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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BTA312-800E | NXP Semiconductors | TO-220AB-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA312-800E,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：12 A，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDR... | ||||||
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BTA312-800ET | NXP Semiconductors | TO-220AB-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA312-800ET,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：12 A，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDR... | ||||||
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BTA312B-600B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 358 | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 105A 3-Pin (2+Tab) | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.1 m... | ||||||
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BTA312B-600C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 105A 3-Pin (2+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.1 m... | ||||||
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BTA312B-600CT,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 4,773 | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 105A 3-Pin (2+Tab) | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：12 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM I... | ||||||
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BTA312B-600D,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 105A 3-Pin (2+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：12 A，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状... | ||||||
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BTA312B-600E,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 105A 3-Pin (2+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：12 A，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状... | ||||||
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BTA312B-800B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 7,425 | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 105A 3-Pin (2+Tab) | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.1 m... | ||||||
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BTA312B-800C,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 4,667 | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 105A 3-Pin (2+Tab) | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：0.1 m... | ||||||
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BTA312B-800E,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 105A 3-Pin (2+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：12 A，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状... | ||||||
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BTA312B-800ET,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 5,600 | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 105A 3-Pin (2+Tab) | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：12 A，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状... | ||||||
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BTA312X-600B | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA312X-600B,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA312X-600C | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA312X-600C,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA312X-600D | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA312X-600D,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：12 A，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDR... | ||||||
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