NXP Semiconductors
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BTA208X-1000C0/L01 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 | ||
| 参数：WeEn Semiconductors|管件|-|在售|标准|1 kV|8 A|1.5 V|65A，71A|35 mA|50 mA|单路|125°C（TJ）|通... | ||||||
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BTA208X-600B | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL 3Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
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BTA208X-600B,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL 3Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：8 A，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：... | ||||||
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BTA208X-600D | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：72 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
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BTA208X-600D,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：72 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
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BTA208X-600E | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：72 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
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BTA208X-600E,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 2 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：72 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
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BTA208X-600F | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：72 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
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BTA208X-600F,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：72 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
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BTA208X-800B | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL 3Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
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BTA208X-800B,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL 3Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：8 A，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：... | ||||||
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BTA208X-800E | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：72 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
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BTA208X-800E,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：72 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
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BTA208X-800F | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：72 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
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BTA208X-800F,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：72 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
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BTA212-600B | NXP Semiconductors | TO-220AB-3 | 双向可控硅 RAIL 3Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212-600B,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 RAIL 3Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：12 A，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDR... | ||||||
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BTA212-600B/DG,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 4,987 | 双向可控硅 3Q HI-COM TRIAC | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220AB-3，包装形式：Reel，工厂包装数量：50，... | ||||||
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BTA212-600D,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 1,907 | 双向可控硅 600V 12A | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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BTA212-600E | NXP Semiconductors | TO-220AB-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：105 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
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