NXP Semiconductors
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BT234-600D,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 4Q Triac | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220AB-3，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
|
|
BT234-600E,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 4Q Triac | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220AB-3，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
|
|
BT234-800D,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 4Q Triac | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220AB-3，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
|
|
BT234-800E,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 双向可控硅 4Q Triac | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220AB-3，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
|
BT234X-600D,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 4Q Triac | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220F-3，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
|
|
BT234X-600E,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 4Q Triac | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220F-3，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
|
|
BT234X-800D,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 4Q Triac | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220F-3，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
|
|
BT234X-800E,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 4Q Triac | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220F-3，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
|
BT236X-600 | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT236X-600,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT236X-600F | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT236X-600F,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT236X-600G | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT236X-600G,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT236X-800 | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT236X-800,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT236X-800G | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT236X-800G,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
BTA208X-1000C,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 3 QUADRANT TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：1000 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM ID... | ||||||
|
|
BTA208X-1000C0,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 Thyristor TRIAC 1KV 71A 3-Pin (3+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：8 A，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：1000 V，关闭状态... | ||||||
16/33 首页 上页 [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] 下页 尾页
