NXP Semiconductors
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BT137S-800E /T3 | NXP Semiconductors | DPAK-3 | 双向可控硅 TAPE13 TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
SOT428.JPG)
|
BT137S-800E,118 | NXP Semiconductors | DPAK | 双向可控硅 TAPE13 TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT137S-800F /T3 | NXP Semiconductors | DPAK-3 | 双向可控硅 TAPE13 TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT137S-800F,118 | NXP Semiconductors | DPAK | 双向可控硅 TAPE13 TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：8 A，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：... | ||||||
|
|
BT137S-800G /T3 | NXP Semiconductors | DPAK-3 | 双向可控硅 TAPE13 TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT137S-800G,118 | NXP Semiconductors | DPAK | 1,499 | 双向可控硅 TAPE13 TRIAC | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：8 A，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：... | ||||||
|
BT137X-600 | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
BT137X-600,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
BT137X-600/DG,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 4Q TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220F-3，包装形式：Reel，工厂包装数量：50，... | ||||||
|
|
BT137X-600D | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT137X-600D,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 5,774 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT137X-600E | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT137X-600E,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，开启状态 RMS 电流 (It RMS)：8 A，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：... | ||||||
|
|
BT137X-600F | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT137X-600F,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT137X-600G | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT137X-600G,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT137X-800 | NXP Semiconductors | TO-220F-3 | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
BT137X-800,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 RAIL TRIAC | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：双向可控硅，RoHS：是，不重复通态电流：71 A，额定重复关闭状态电压 VDRM：800 V，关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDR... | ||||||
|
|
BT137X-800/L02,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | 双向可控硅 | ||
| 参数：WeEn Semiconductors|管件|-|在售|标准|800 V|8 A|1.5 V|65A，71A|35 mA|20 mA|单路|125°C（TJ）|... | ||||||
11/33 首页 上页 [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] 下页 尾页
