从图 1 . 17 可以看出,大区、截止区、击穿区。可变电阻区、线性放大区
习惯上将 J-FET 刚刚截止时的栅压称为夹断电压,用 Up 表示。从图中可以看出耗尽层加宽, N 沟道被夹断。
[ 2 ]可变电阻区。从图 1 . 17 中的“可变电阻区”部分曲线可以看出:在此区域内,输出曲线是直的,而且不同的 Ugs 对应不同的斜率,可见在此区域内, Ugs 可以控制 DS 之间的电阻。从这个方向讲来,此时的J-FET 等效为一个压控可变电阻器。 Ugs 越负,电阻值越大。
[ 3 ]线性放大区, l 见图 1 . 19 示意]当 UgS 高于截止栅极电压时,随着 UdS 的增加,当 Uds 增加到 Uds=-Up 时,场效应管出现“预夹断”。此时,因预夹断区的电阻远远大于剩余的 N 沟道电阻,增加的电压基本上都消耗在预夹断区上, N 沟道上的电压基本不变,因此Uds 之间出现了恒流特性。图 1 . 17 中曲线几乎水平部分的斜率就是预夹断区电阻。在这个区域内, Id 只受 Ugs 控制, Ugs 越大, Id饱和电流越大,且成比例变化。 J-FET 用做放大器时,必须被偏置到这个区域。
[ 4 ]在线性放大区内,若 Uds 再继续增加, PN 结上的反向电压越来越大, U 电若超过 PN 结的反向击穿电压, PN 结将发生击穿。 Ugs越大,发生击穿时的 Uds 越大,从图 1 . 17 中可以看出。
( 2 ) J-FET 的转移特性曲线这里的转移特性曲线,特指 J-FET 在线性放大区时,在固定 UdS 电压条件下, Id 与 UgS 的函数关系:
Id=f2(Uds,Ugs)|UdS 固定。请图 1 . 20 :
[ l ]饱和漏极电流 IdsS 。是指在 Ugs=OV, UdS>=|Up|时的漏极电流 Id 值。
[ 2 ]夹断电压 Up 。是指当 UdS 固定时,使得 Id=O 时的栅源电压值;
[ 3 ]直流输入电阻 RgS ,它等效于栅极直流电压 UgS 与栅极直流电流1g之比,J-FET 的 Rgs 往往在 10e8-10el2 Ohm之间。
[ 4 ]栅源击穿电压 BVgS ,指 PN 结反向电流突增时的 Ugs 值;
[ 5 ]漏源击穿电压 BVdS ,是指使 PN 结发生雪崩击穿时的 UdS 电压值;
[ 6 ]最大直流功耗 Pdm=Id X UdS ;
[ 7 ]跨导 Gm ,是指 UdS 为常数时,漏极电流的交流变化量与栅源电压的交流变化量之比:gm=△I/△Ugs
[ 8 ]输出电阻 RdS ,是指在线性放大区, UgS 为常数时, UdS 的交流微变量与 Id 的交流微变量之比: Rds=△Uds/△Id ;
[ 9 ]动态导通电阻 Ron :特指在可变电阻区,当 UgS 为常数时, Uds 微变量与 Id 微变量之比: Ron=△Uds/△Ict ;
[10 ]极间电容:J-FET 的三个电极之间的电容: CgS 、 CdS 、 Cdg
© 2010 IC邮购网 icyougou.com版权所有