BJT 的CE接法输出特性

首先画出 BJT 的 CE 测试接法示意图如图 1 . 5 :



图 1 . 5 BJT 共发射极接法测试原理图

CE 接法是指以基极和发射极作为输入回路，发射极和集电极作为输出回路，输入、输出回路公用了发射极。图中， Eb 将为基极提供合适的偏置电压， Ec 为集电极提供偏置电压； Uce 指集电极与发射极之间的电压， Ube 指基极与发射极之间的电压。相应地， Ib 、 Ic 分别为流过基极、集电极的电流。 BIPolarity Junction Transistor(BJT) 的典型输出特性如图 1 . 6 :



图 1 . 6 BJT 的典型输出特性图横轴表示 BJT 的 CE 极之间电压，图中画出了四条曲线，分别对应不同的基极电流。纵轴表示集电极电流。

共发射极电流放大系数B=△Ic/△Ib 。从图中可以看出，当 Ib 减小到一定值时，不管 Uce 如何变化， Ic 趋向一个几乎不变的常数，这时定义 BJT 进入了截止状态，水平阴影区域表示 BJT 的截止区。当 Uce 减小到一定值时，不管 Ib 如何变化， Ic 都不会按比例增加， l 往往这时的 Uce 接近或小于 Ute ] ，这时定义 BJT 进入了饱和状态。这两种状态在线性电路中都是有害的，它会破坏信号的完整性，因此应该设计正确的偏置，使 BJT 不进入这两种状态。在垂直和水平阴影两区之间的区域称为放大区，在这个区域中， Ic 正比于 Ib 。只要使 O < Ube< Ube 。［门限电压］，就可以使 I 。＝ O 。这时的 Ib ＝-Icb 。， Ic=Ict 。Ib=-Ict 。这条曲线是截止区与放大区之间的分界线。当Ib=O 时 Ie 不一定等于。，此时的 Ie 记为 Iec 。，称为 CE 穿透电流，硅管的穿透电流往往小于 1 微安，锗管的为 0 . 5-1 . 5IllA ，且会随温度的增加而增加。另外，当 Uce 增加到一定值时， Ic 也突然增加，不受 Ib 的控制，这是因为 CE 极间发生击穿，击穿电压的大小 与流过集电极的电流大小有关。 CE 击穿很容易损坏 BJT ，因此在实际电路中也要同时考虑 Uce 的电压范围。




1 . 3 . 2 . 2 BJT 的 CE 接法输入特性

请看图 1 . 7 :



图 1 . 7 BJTcE 接法输入特性图示 CE 接法输入特性是指以 uCE 为参变量，输入电流 Ib 与输入电压 Ube 之间的关系曲线。从图中可以看出CE 接法的 BJT 输入特性有如下特点：

[ l ］当 Uce=O 时，输入特性与常规的二极管特性相似。因为此时的集电极与发射极等效为并联，BJT 等效于两个并接的二极管。

[ 2 ］当 Uce > IV 时，特性曲线右移！ Ube 的值有所增加，这在设计精密电路时应该考虑到。