【图】74HC244中文资料
(2024/2/4 18:00:00)
74HC244中文资料
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74HC244是专门设计的8 缓冲器及线驱动器，以改善三态存贮地址驱动器，时钟驱动器和总线定向收发器的性能和集成度。
Absolute Maximum Ratings绝对最大额定值：
DC Supply Voltage, 直流供电电压 VCC
| -0.5V to 7V
|
DC Input Diode Current, 直流输入二极管电流 IIK For VI < -0.5V or VI > VCC + 0.5V
| ±20mA
|
DC Output Diode Current, IOK For 直流输出二极管电流 VO < -0.5V or VO > VCC + 0.5V
| ±20mA
|
DC Drain Current, per Output,直流漏电流，每路输出，输入输出为 IO For -0.5V < VO < VCC + 0.5V
| ±35mA
|
DC Output Source or Sink Current per Output Pin, IO For VO > -0.5V or VO < VCC + 0.5V
| ±25mA
|
DC VCC or Ground Current, ICC
| ±70mA
|
真值表：
输入
| 输出
| |
输出控制
| 数据
| |
G
| A
| Y
|
L
| L
| H
|
L
| H
| L
|
H
| X
| Z
|
74HC244引脚图
HC HCT 引脚图HC HCT 功能图
74HC244电气参数:
Operating Conditions操作条件
| ||
Temperature Range (TA)温度范围
| -55℃ to 125℃
| |
Supply Voltage Range, 电源电压范围，虚拟通道连接 VCC
| HC Types
| 2V to 6V
|
HCT Types
| 4.5V to 5.5V
| |
DC Input or Output Voltage, VI, VO 输入或输出直流电压
| 0V to VCC
| |
Input Rise and Fall Time 输入上升和下降时间
| 2V
| 1000ns (最大)
|
4.5V
| 500ns (最大)
| |
6V
| 400ns (最大)
| |
Thermal Information热特性：
Thermal Resistance 热电阻(Typical, Note 1)
| θJA
|
E (PDIP) 封装
| 69℃/W
|
M (SOIC) 封装
| 58℃/W
|
PW (TSSOP) 封装
| 83℃/W
|
Maximum Junction Temperature 最高结温
| 150℃
|
Maximum Storage Temperature Range 最大存储温度范围
| -65℃ to 150℃
|
Maximum Lead Temperature 焊接最高温度（焊接10秒）(SOIC - Lead Tips Only)
| 300℃
|
DC Electrical Specifications直流电气规格：
Parameter 参数
| Symbol 符号
| TEST Conditions 测试条件
|
| 25℃
| -40℃TO85℃
| -55℃TO125℃
| UNIT 单位
| |||||||
VI (V)
| IO (mA)
| VCC (V)
| 最小
| 典型
| 最大
| 最小
| 最大
| 最小
| 最大
| |||||
High Level Input Voltage输入高电平电压
| VIH
| -
| -
| 2
| 1.5
| -
| -
| 1.5
| -
| 1.5
| -
| V
| ||
4.5
| 3.15
| -
| -
| 3.15
| -
| 3.15
| -
| V
| ||||||
6
| 4.2
| -
| -
| 4.2
| -
| 4.2
| -
| V
| ||||||
LOW Level Input Voltage 输入低电平电压
| VIL
| -
| -
| 2
| -
| -
| 0.5
| -
| 0.5
| -
| 0.5
| V
| ||
4.5
| -
| -
| 1.35
| -
| 1.35
| -
| 1.35
| V
| ||||||
6
| -
| -
| 1.8
| -
| 1.8
| -
| 1.8
| V
| ||||||
HIGH Level Output Voltage输出高电平电压 CMOS负载
| VOH
| VIH or VIL
| -0.02
| 2
| 1.9
| -
| -
| 1.9
| -
| 1.9
| -
| V
| ||
-0.02
| 4.5
| 4.4
| -
| -
| 4.4
| -
| 4.4
| -
| V
| |||||
-0.02
| 6
| 5.9
| -
| -
| 5.9
| -
| 5.9
| -
| V
| |||||
HIGH Level Output Voltage输出高电平电压 TTL负载
| -6
| 4.5
| 3.98
| -
| -
| 3.84
| -
| 3.7
| -
| V
| ||||
-7.8
| 6
| 5.48
| -
| -
| 5.34
| -
| 5.2
| -
| V
| |||||
Low Level Output Voltage 输出低电平电压 CMOS负载
| VOL
| VIH or VIL
| 0.02
| 2
| -
| -
| 0.1
| -
| 0.1
| -
| 0.1
| V
| ||
0.02
| 4.5
| -
| -
| 0.1
| -
| 0.1
| -
| 0.1
| V
| |||||
0.02
| 6
| -
| -
| 0.1
| -
| 0.1
| -
| 0.1
| V
| |||||
Low Level Output Voltage输出低电平电压 TTL负载
| 6
| 4.5
| -
| -
| 0.26
| -
| 0.33
| -
| 0.4
| V
| ||||
7.8
| 6
| -
| -
| 0.26
| -
| 0.33
| -
| 0.4
| V
| |||||
Input Leakage Current输入漏电流
| II
| VCC or GND
| -
| 6
| -
| -
| ±0.1
| -
| ±1
| -
| ±1
| μA
| ||
Quiescent Device Current静态电流
| ICC
| VCC or GND
| 0
| 6
| -
| -
| 8
| -
| 80
| -
| 160
| μA
| ||
DC Electrical Specifications直流电气规格（续）
Parameter 参数
| Symbol 符号
| TEST Conditions 条件
|
| 25℃
| -40℃ TO 85℃
| -55℃ TO 125℃
| UNIT 单位
| ||||||||
VI (V)
| IO (mA)
| VCC (V)
| 最小
| 典型
| 最大
| 最小
| 最大
| 最小
| 最大
| ||||||
Three-State Leakage Current三态泄漏电流
| IOZ
| VIL or VIH
| -
| 6
| -
| -
| ±0.5
| -
| ±0.5
| -
| ±10
| μA
| |||
High Level Input Voltage输入高电平电压
| VIH
| -
| -
| 4.5 to 5.5
| 2
| -
| -
| 2
| -
| 2
| -
| V
| |||
LOW Level Input Voltage 输入低电平电压
| VIL
| -
| -
| 4.5 to 5.5
| -
| -
| 0.8
| -
| 0.8
| -
| 0.8
| V
| |||
HIGH Level Output Voltage输出高电平电压 CMOS 负载
| VOH
| VIH or VIL
| -0.02
| 4.5
| 4.4
| -
| -
| 4.4
| -
| 4.4
| -
| V
| |||
HIGH Level Output Voltage输出高电平电压 TTL负载
| -6
| 4.5
| 3.98
| -
| -
| 3.84
| -
| 3.7
| -
| V
| |||||
Low Level Output Voltage 输出低电平电压 CMOS负载
| VOL
| VIH or VIL
| 0.02
| 4.5
| -
| -
| 0.1
| -
| 0.1
| -
| 0.1
| V
| |||
Low Level Output Voltage 输出低电平电压TTL负载
| 6
| 4.5
| -
| -
| 0.26
| -
| 0.33
| -
| 0.4
| V
| |||||
Input Leakage Current输入漏电流
| II
| VCC to GND
| 0
| 5.5
| -
| -
| |||||||||
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