是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20，透过pin 1 和pin8脚位间电容的搭配，增益最高可达200。LM386可使用电池为供应电源，输入电压范围可由4V~12V，无作动时仅消耗4mA电流，且失真低。LM386的内部电路图及引脚排列图如图1、图2所示，表1为其电气特性。

图1. 内部电路图

图2 引脚功能图

LM386电气参数

极限参数：

电源电压

（LM386N-1，-3，LM386M-1）15V

电源电压（LM386N-4）22V

封装耗散

（LM386N）1.25W

（LM386M）0.73W

（LM386MM-1）0.595W

输入电压±0.4V

储存温度-65℃至+150℃

操作温度0℃至+70℃

结温+150℃



焊接信息

焊接（10秒）260℃

小外形封装（SOIC和MSOP）

气相（60秒）215℃

红外（15秒）220℃



热电阻

qJC （DIP）37℃/W

qJA （DIP）107℃/W

qJC （SO封装）35℃/W

qJA （SO封装）172℃/W

qJA （MSOP封装）210℃/W

qJC （MSOP封装）56℃/W

表1. LM386电气特性

Parameter 参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
Operating Supply Voltage (VS) 操作电源电压	-	-
LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386MM-1		4	-	12	V
LM386N-4		5	-	18	V
Quiescent Current (IQ) 静态电流	VS = 6V, VIN =0		4	8	mA
Output Power (POUT) 输出功率	-	-
LM386N-1,LM386M-1,LM386MM-1	VS = 6V, RL =8W, THD = 10%	250	325	-	mW
LM386N-3	VS = 9V, RL =8W, THD = 10%	500	700	-	mW
LM386N-4	VS=16V, RL =32W, THD = 10%	700	1000	-	mW
Voltage Gain (AV) 电压增益	VS = 6V, f = 1 kHz		26	-	dB
	10 μF from Pin 1 to 8		46	-	dB
Bandwidth (BW) 宽带	VS = 6V, Pins 1 and 8 Open		300	-	kHz
Total Harmonic Distortion (THD)总谐波失 真	VS = 6V, RL =8W,POUT = 125 mW f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Open	-	0.2	-	%
Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 电源抑制比	VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 μF Pins 1 and 8 Open,Referred to Output	-	50	-	dB
Input Resistance (RIN) 输入电阻	-	-	50	-	kΩ
Input Bias Current (IBIAS) 输入偏置电流	VS = 6V, Pins 2 and 3 Open	-	250	-	nA

LM386应用电路

图3的应用电路为增益20的情形，于pin 1及pin 8间加一个10mF的电容即可使增益变成200，如图4所示。图中10kW的可变电阻是用来调整扬声器音量大小，若直接将Vin输入即为最音量最大的状态。

图3功放电路工作原理 图4

图5 调幅收音机功率放大器