J-FET场效应管的输出特性及特性曲线
J-FET场效应管的输出特性及特性曲线

( 1 ) J-FET 的输出特性曲线 J-FET 的输出特性曲线是指一组 UgS 固定为不同值时的Id-Ugs 关系曲线，即： Id = f ( Ugs , Ucts ）函数关系。请看图 1 . 17 :



N 沟道 J-FET 输出特性曲线分为四个区域：

从图 1 . 17 可以看出，大区、截止区、击穿区。可变电阻区、线性放大区



习惯上将 J-FET 刚刚截止时的栅压称为夹断电压，用 Up 表示。从图中可以看出耗尽层加宽， N 沟道被夹断。

[ 2 ］可变电阻区。从图 1 . 17 中的“可变电阻区”部分曲线可以看出：在此区域内，输出曲线是直的，而且不同的 Ugs 对应不同的斜率，可见在此区域内， Ugs 可以控制 DS 之间的电阻。从这个方向讲来，此时的J-FET 等效为一个压控可变电阻器。 Ugs 越负，电阻值越大。

[ 3 ］线性放大区， l 见图 1 . 19 示意］当 UgS 高于截止栅极电压时，随着 UdS 的增加，当 Uds 增加到 Uds=-Up 时，场效应管出现“预夹断”。此时，因预夹断区的电阻远远大于剩余的 N 沟道电阻，增加的电压基本上都消耗在预夹断区上， N 沟道上的电压基本不变，因此Uds 之间出现了恒流特性。图 1 . 17 中曲线几乎水平部分的斜率就是预夹断区电阻。在这个区域内， Id 只受 Ugs 控制， Ugs 越大， Id饱和电流越大，且成比例变化。 J-FET 用做放大器时，必须被偏置到这个区域。

[ 4 ］在线性放大区内，若 Uds 再继续增加， PN 结上的反向电压越来越大， U 电若超过 PN 结的反向击穿电压， PN 结将发生击穿。 Ugs越大，发生击穿时的 Uds 越大，从图 1 . 17 中可以看出。