VMOSFET特性及优点总结
VMOSFET特性及优点总结

【 l ］高输入阻抗、低驱动电流

【 2 ］开关速度快、高频特性好

【 3 ］负电流温度系数、无热恶性循环，热稳定型优良请看下面的示意图：



VMOS管的负温度系数示意图

【 4 ］安全工作区域大：因 VMOS 器件的温度系数是负值，不存在局部热点和电流集中等问题，只要合理设计偏置，可以从根本上避免二次击穿。因此 VMOS 管的安全工作区域比 BJT 管的要大：



VMOS '' s 负温度系数示意图



VMOS Safe Operation Area

【 5 ］高线性化的跨导 Gm : vMos 器件具有短沟道，当 vgs 上升到一定值后，跨导 Gm 即为恒定值。而传统的 MOS 管因为沟道长，不容易出现沟道饱和效应，所以 Id 与 vds 的平方成正比， Gm 随 vgs 的增大而增大。请看下面的示意图：



【 6 ］近乎线性的转移特性，放大信号时失真极小：