开关稳压电源
在开关稳压电源中,直流变换器中的功率晶体管工作在开关状态。目前开关电源的工作频率在几百KHz,有些甚至已经到了MHz量级。图11.3是
DC/DC开关变换器的原理框图:
开关电源的实现方式有很多种,如最传统的脉宽调制(PWM)技术,目前流行的为提高变换效率的零电压(ZV),零电流(ZC)技术、相移脉
宽调制零电压谐振变换等。每一种技术之下,又有很多种拓扑结构。开关电源设计需要丰富的模拟电路知识,涉及到功率器件选取、电源滤波 、驱动电路、控制环路、高频磁芯变压器、EMC等多个方面,具体设计细节已经超出了本文的范围。
本文将从原理的角度介绍脉宽调制的几种类型、全桥变换技术,最后将介绍最新的ZVZCSPwMDc/DC变换器。
11.3.1脉宽调制的几种形式脉宽调制是开关电源设计中最成熟的技术。脉宽调制是一种功率控制方式,不同占空比的脉冲具有不同的直流
分量,所以负载变化时,根据调整输出脉冲的占空比达到稳定输出电压的目的。
脉宽调制易于实现,因为驱动脉冲具有固定的频率,与负载特性无关,因而应用最为广泛。
buck变换器电路及原理
buck变换器由电压源、串联开关和电流负载组成,也称它为串联开关变换器。图11.4是它的基本拓扑形式。
图11.4buck变换器
图11.5是晶体管开关变换器(buck)电路,其中晶体管Q为开关器件,L为滤波电感,C为滤波电容,D为续流二极管。
ton为晶体管的导通时间,在此时间段,L内的电流逐渐增加,当导通结束后,进入晶体管截止时间段toff,这时候由于L内的电流到达
最大值ILmax,电感中的电流不能突变,所以,继续有电流流过,二极管D充当截止期间的续流元件。当截止时间结束后,电感中的电流到
达最小值ILmin,重新开始新的周期。
在buck变换器开关与负载时间插入隔离变压器,这种隔离型buck变换器叫做Forward单端正激变换器。如图11.6:
图11.6Forward单端正激变换器
简单分析可知,滤波电感L在开关管关断期间,通过续流二极管为负载提供电流。D3的作用是钳位,其功能是完成磁心的复位。当开关管关
断时,能量通过D3泄放到电源端,保证磁心的磁通回到零。
boost变换器基本电路及原理
boost变换器是从buck变换器进行对偶变换后得到的,其原理如图11.7所示:
boost变换器称为并联开关变换器。与buck变换器其不同的是,boost型电感在输入端(开关),buck型电感在输出端。boost型变换
器的输出电压Vo总是大于输入电压Vi。解释比较简单,当开关管导通时,二极管D关闭,电感L与开关管的节点电压为O。当开关管关
闭时,电感L两端的电势翻转,所以电感L与开关管的节点电压大于输入电压Vl,电感电流通过二极管D续流,使得Vo大于Vi。可以
证明,Vo=Vi*[T/(T-Ton)],T是开关脉冲周期,Ton是导通时间。
buck-boost变换器基本电路及原理
将buck、boost两种形式的变换器结合起来,产生一种新的变换器,叫做buck一boost变换器,其结构如图11.8
:
这种形式的变换器输出电压同输入电压是反相的。在buck型和boost型变换器中,存在一个能量直接从电源流向负载的时间,而在buck一
boost变换器中,能量先存储在电感中,然后再流向负载,这是它们的主要区别。
如果将中间段的电感,改为隔离变压器,就得到了常用的反激变换器(Flyback变换器)。图11.9是单端反激式变换器的电路图:
由变压器的同名端可见,在开关管的导通期间,变压器储存能量,当晶体管关闭时,二极管导通,能量传递给负载。
cuk变换器
将buck-boost变换器进行对偶变换,可以得到cuk变换器。其电路形式如图11.10:
其中C是传递能量的藕合电容。原理分析是这样的:当三极管导通时,电容C的能量通过L2,C2、R回路释放,同时向C2、L2储能,同时电源
向Ll储存能量。在三极管关闭时,Ll上的电流通过二极管D续流,同时向C充电。当要求不同极性不同电压的输出时,需要加入隔离变
压器,这样就形成了隔离Cuk变压器,如图11.lh
其工作原理同Cuk型变换器原理是一样的。CO,Cl的作用是变压器初、次级绕组均无直流流过。磁心在两个方向磁化,不需要加气隙,体积可
以做得很小。
推挽变换器电路及原理
图11.12是推挽变换器原理图。推挽变换器有两个三极管在交替开关,以达到比单管工作电路高的输出功率。由于初级线圈的中心抽头接在输
入电源的正级,这样当一边三极管导通时,另外一边的三极管要承受的耐压为两倍的电源电压,这对晶体管的要求较高。
全桥变换器电路及原理
前文已经说过,推挽变换器要求晶体管的耐压比较高,从安全的角度看,实际应用中常常要考虑为电源电压的3.3倍。如果输入电源直接从
市电(我国是22OVAC)整流而得,那么晶体管的耐压要求I000V。这样的晶体管不是很多,所以在我国,一次电源中基本不采用推挽设计的
开关电源。解决晶体管耐压的方法是采用桥式电路。这样做增加了成本,用四个晶体管代替了两个晶体管,但是可靠性弥补了这些缺点。
图11.13是全桥变换器的原理电路:
这种设计降低了晶体管的电压,所以提高可靠性。需要指出的是,串联在一起的两个晶体管同时导通时,晶体管将损坏。解决这个问题的技术 将在后面讲述。
半桥变换器基本电路及原理
如果将全桥变换器的一个桥臂的两只晶体管用两个电容代替,可以节省两个晶体管,比较经济。但是通常两个电容体积比晶体管还大。这样的
电路称为半桥变换器,如图11.14所示:
以上是一些PWM形式变换器的种类。在设计这些开关电源时候,经常会碰到如下问题,如果解决不好,将严重影响开关电源的工作:
晶体管同时导通:在双端变换器(如推挽、桥式),有可能产生晶体管同时导通的现象,这将导致晶体管在瞬间损坏。容性负载:变换器的功 耗取决于电压电流在时间轴上的重叠部分。在瞬间关断和导通,晶体管将对容性负载充电,如果容性负载很大,晶体管的功耗将变得很大,甚 至损坏。
集电极尖峰电压:电源主变压器的漏感,就象在集电极上串联的一个小电感,当晶体管电流关断时,这个漏感将在集电极上产生尖峰电压。如 果尖峰电压不被抑制,会击穿晶体管。
变压器工作点沿磁滞回线垂直漂移:变压器磁滞回线工作点应该保持在中心,如果电路使之偏离中心点,磁芯将进入饱和区。磁芯进入饱和区 是,变压器失去阻抗变换的作用,阻抗值急剧下降,这样晶体管的电流将会瞬间急剧扩大而导致器件损坏。
电源机壳上的开关噪声电压:通常在开关管集电极上出现高峰值的方波,或变压器次级输出接地端同机壳之间出现噪声电压。
(d)开关模态3对应于[t2,t3],电流流向如图11.23,其中ip为初级线圈中的电流方向。
在这个开关模态中,原边电流为ip=O;A电对应电压为Va=O,B点对应电压为Vb=-Vcbp。副变两个整流管同时导通均分负载电流。
(e)开关模态3
对应于[t3,t4],电流流向如图11.24,其中ip为初级线圈中的电流方向。
以上是zVzCS典型电路的各个开关过程的分析过程。实际设计中,还要确定若干技术参数,详细细节请参见专业书籍。现在流行的集成式电容
开关转换器,具有体积小(一般是SOP封装),输出功率小的特点,特别适合于低功耗应用场合。
实际应用举例
在实际应用中,经常需要多种供电电源,但是需要的电流通常在几百毫安以内。这样的电源采用体积庞大的DC/DC变换模块是不合适的,一方
面成本较高,另外需要较大的PCB面积。
体积很小的集成化开关电源变换器就应运而生。这些变换器内置控制电路和开关管,配合外围电感、二极管,应用方式比较灵活,根据需要,既可产生正电源,又可以产生负电源,电压的幅度也可以通过外置的反馈电阻控制。这类器件输出功率不大,可靠性很高。比较常用的芯片有LT1173,关于LT1173应用电路的设计请参考本站(www.dz3w.com)相关文章或LT1173 datasheet.
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