一、LED历史

　　LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料, 置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,即固体封装,所以能起到保护内部芯 线的作用,所以LED的抗震性能好。

50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,1962年,通用电气 公司的尼 克何伦亚克(NickHolonyakJr.)开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。

最初LED用作仪器仪表的指示光源,后来各种光色的LED在交通信 号灯和大面积显 示屏中得到了广泛应用,产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯 为例,在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯 作为光源,它产生2000流明的白 光。经红色滤光片后,光损失90%,只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中,Lumileds 公司采用了18个红色LED光源,包括电路损失在内,共耗电14瓦,即可产生同样的光效。 汽车 信号灯也是LED光源应用的重要领域。

　　二、LED芯片的原理：

　　 LED(LightEmittingDiode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架 上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成, 一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电 子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用 于这个晶片的时候,电子 就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的 形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的 材料决定的。

　　三、LED芯片的分类：

　　1.MB芯片定义与特点 定义：MetalBonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。 特点： (1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易。 ThermalConductivity GaAs:46W/m-K GaP:77W/m-K Si:125～150W/m-K Cupper:300~400W/m-k SiC:490W/m-K (2)通过金属层来接合(waferbonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。 (3)导电的Si衬底取代GaAs衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍),更适 应于高驱动电流领域。 (4)底部金属反射层,有利于光度的提升及散热。 (5)尺寸可加大,应用于Highpower领域,eg:42milMB。

　　2.GB芯片定义和特点 定义：GlueBonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。 特点： (1)透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS(Absorbable structure) 芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。 (2)芯片四面发光,具有出色的Pattern图。 (3)亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。 (4)双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。

　　3.TS芯片定义和特点 定义：transparentstructure(透明衬底)芯片,该芯片属于HP的专利产品。 特点: (1)芯片工艺制作复杂,远高于ASLED。 (2)信赖性卓越。 (3)透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高。 (4)应用广泛。

　　4.AS芯片定义与特点 定义：Absorbablestructure(吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力,台湾LED光 电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售 处于成熟的阶段,各大公司在此方面的研发水平 基本处于同一水平,差距不大。 大陆芯片制造业起步较晚,其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距,在这里我们所 谈的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg:712SOL-VR,709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR等。 特点： (1)四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮。 (2)信赖性优良。 (3)应用广泛。



　　四、发光二极管芯片材料磊晶种类



　　1.LPE：LiquidPhaseEpitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP

　　2.VPE：VaporPhaseEpitaxy(气相磊晶法)GaAsP/GaAs

　　3.MOVPE：MetalOrganicVaporPhaseEpitaxy(有机金属气相磊晶法)AlGaInP、GaN

　　 4.SH：GaAlAs/GaAsSingleHeterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

　　5.DH：GaAlAs/GaAsDoubleHeterostructure(双异型结构)GaAlAs/GaAs

　　6.DDH：GaAlAs/GaAlAsDoubleHeterostructure(双异型结构)GaAlAs/GaAlAs

　　励、LED仂頭怏撹式LED唱頭蒙來燕



　　LED唱頭議怏撹?麼勣嗤負(AS)汰(AL)鑿(Ga)鋏(IN)宋(P)紀(N)鑒(Si)宸叱嶽圷殆嶄議 飛孤嶽怏撹。

　　LED唱頭議蛍窃?

1、梓窟高疏業蛍? A、匯違疏業?R、H、G、Y、E吉 B、互疏業?VG、VY、SR吉 C、階互疏業?UG、UY、UR、UYS、URF、UE吉 D、音辛需高(碕翌?)?R、SIR、VIR、HIR E、碕翌?俊辺砿?PT F、高窮砿?PD

　　2、梓怏撹圷殆蛍? A、屈圷唱頭(宋、鑿)?H、G吉 B、眉圷唱頭(宋、鑿、負)?SR、HR、UR吉 C、膨圷唱頭(宋、汰、鑿、鋏)?SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG

　　3.LED唱頭蒙來燕?



　　 LED唱頭侏催　　窟高冲弼　　怏撹圷殆　　襖海(nm)

　　　SBI　　　　　　清弼　　　　lnGaN/sic　　430

　　　HY　　　　　階疏仔弼　　　AlGalnP　　　595

　　　SBK　　　　　熟疏清弼　　　lnGaN/sic　　468

　　　SE　　　　　　互疏循弼　　　GaAsP/GaP　　610

　　　DBK　　　　　熟疏清弼　　　　GaunN/Gan　470

　　　HE　　　　　　階疏循弼　　　　AlGalnP　　　620

　　　SGL　　　　　楳駄弼　　　　　lnGaN/sic　　　502

　　　UE　　　　　　恷疏循弼　　　　AlGalnP　　　620

　　　DGL　　　　　熟疏楳駄弼　　　　LnGaN/GaN　　505

　　　URF　　　　　恷疏碕弼　　　　　AlGalnP　　　　630

　　　DGM　　　　熟疏楳駄弼　　　　　lnGaN　　　　　523

　　　E　　　　　　　循弼　　　　　　　　GaAsP/GaP　　635

　　　 PG　　　　　　　歓駄　　　　　　　　GaP　　　　555　　　

　　　　R　　　　　　　　碕弼　　　　　　　GAaAsP　　655

　　　　SG　　　　　　　炎彈駄　　　　　　　　GaP　　　560

　　　　　SR　　　　　　熟疏碕弼　　　　　　　GaA/AS　　660

　　　　　G　　　　　駄弼　　　　　　　　　　　GaP　　　　565

　　　　　HR　　　　　階疏碕弼　　　　　　　　GaAlAs　　　　660

　　　　VG　　　　　　　熟疏駄弼　　　　　　　GaP　　　　　　　565

　　　　　UR　　　　　　　恷疏碕弼　　　　　　GaAlAs　　　660

　　　　UG　　　　　　　　恷疏駄弼　　　　　AIGalnP　　　　　574

　　　H　　　　　　　　　　互碕　　　　　　　　GaP　　　　　　　697

　　 　Y　　　　　　　　　仔弼　　　　　　　　GaAsP/GaP　　　　585

　　　HIR　　　　　　　　碕翌?　　　　　　GaAlAs　　　　　　　850

　　　VY　　　　　　　熟疏仔弼　　　　　　GaAsP/GaP　　　　　　585

　　　SIR　　　　　　碕翌?　　　　　　　　　　GaAlAs　　　　　　　880

　　 　UYS　　　　恷疏仔弼　　　　　　　　　AlGalnP　　　　　　　　587

　　　VIR　　　　　　碕翌?　　　　　　　　GaAlAs　　　　　　　　　940

　　　UY　　　　　　恷疏仔弼　　　　　　　　AlGalnP　　　　　　　　595

　　　IR　　　　　　　碕翌?　　　　　　　　　GaAs　　　　　　　　　940