场效应管的特点及主要参数
场效应管的特点及主要参数

3.3.1 场效应管与晶体三极管的比较

场效应管与双极型晶体管相比较，具有如下一些特点：

(1) BJT输入端的PN结为正向偏置，因而它的输入电流较大，相应的输入电阻数小。而JFET输入端的PN结为反向偏置，对IGMOSFET则有绝缘层隔离，故它们的输入电阻很大。通常JFET的输入电阻10^8，而IGFET的输入电阻可大于10^11～10^12。

(2) FET是靠多子导电的器件，所以也称为单极型器件，而BJT中，自由电子及空穴均参与工作，所以又称为双极型器件。由于多子浓度受温度、光照、辐射等环境变化的影响小，所以FET特别适合于环境条件变化较大的电子设备中。

(3) 在低压小电流工作时，FET可作为电压控制的可变线性电阻和导通电阻很小的无触点开关。而BJT则无此优异特性。

(4) FET是一种自隔离器件，制造工作简单，特别适合于大规模与超大规模集成电路的设计与制造。从当前的发展趋势看，在这些集成度很高的大规模与超大规模集成电路中，MOSFET已日益取代了BJT。

(5) 从器件的结构看，FET的漏极与源极是对称的，可以互换使用，设计时也较BJT灵活。

特别需要指出的是在保存和使用MOSFET时要倍加留心，因为它的栅极与衬底表面之间的绝缘层很薄，当带电体或人体接触金属栅时，由于会在栅极与衬底上产生感生电荷，而栅极与衬底之间的平板电容器容量又很小，所以常常这些感生电荷积累会在绝缘层上产生很高的电压，极易导致绝缘层的击穿而损坏管子。所以这种器件在保存时应将各电极引线短接，焊接应将电烙铁外壳良好接地，必要时还可在管子的栅源之间接入背靠背的两只稳压管，以限制感生电荷在栅源之间产生的最大电压，避免管子栅源之间因击穿而损坏。

3.3.2 场效应管的主要参数

1.直流参数