VMOS功率场效应管简介
VMOS功率场效应管简介

通常提高MOS管功率容量的办法是：采用纵向（垂直）导电沟道和大规模集成电路技术，将许多小功率MOS管的管芯并联起来扩大电路，减小导通电阻，构成功率MOS管。

以N沟道MOS管(NMOS)为例，介绍这种具有纵向结构的V型MOS管(VMOSFET)的结构特点。图3.9是其结构剖面图。它以N+型硅材料作衬底（形成漏极D），并在此基础上依次制作出低掺杂的N－外延层、P型区

（导电沟道）和高掺杂的N+区（形成源极S）。穿过N+区和P区，刻蚀成一个V型槽，并在表面生长一层SiO2,再覆盖一层金属作为栅极G。



当栅极加正电压时，在氧化膜下的P型层两边表面上形成导电沟道。在漏源之间加正电压(UGS＞0)，则电子从源极通过两个沟道，达到N－外延层，再通过N+衬底流入漏极,可见电子沿导电沟道的运动是纵向的。

由于功率MOS管的漏区面积大，有利于散热，且P层与N－外延层形成一反偏的PN结，它的耗尽层大多位于掺杂更轻的外延层中，因此漏极与源极之间的反向击穿电压较高，有利于制作成大功率器件。目前，有的功率MOS管耐压可达1000V以上，最大连续电流200A。

V型MOS管有开关速度高、驱动电流小、过载能力强、易于并联等特点，但MOS管与双极型晶体管相比，其低频损耗大，且易受静电破坏，所以应用时需加保护电路。