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【图】NCP1237/38/87/88参数_NCP1237/38/87/88应用电路
(2016/3/28 0:35:00)
NCP1237/38/87/88特性及应用电路

NCP1237/38/87/88特性及应用电路



  NCP1237、NCP1238、NCP1287和NCP1288是安森美半导体推出的新一代固定频率脉宽调制(PWM)控制器,用于需要高性价比、可靠性、设计灵活性和低待机能耗的应用,如笔记本、LCD显示器、游戏机和打印机的交流-直流(AC-DC)适配器,以及DVD和机顶盒(STB)等消费电子应用。



  这系列器件包含一系列关键特性,帮助提升适配器的能效及降低待机能耗。例如,一般控制器需要启动电阻来从整流交流线路电压启动控制器,而在正常工作期间,这启动电阻还持续消耗功率。相比较而言,NCP1237/38/87/88系列控制器内置启动场效应管(FET),这FET用作高压电流源。输入交流电压施加在适配器上时,这个电流源为控制器的VCC电容供电。这种高压启动电路在正常工作条件下关闭(这时由反激辅助绕组提供偏置电压以省电),消耗的功率极低;同时,控制器无需启动电阻(参见图1),帮助降低待机能耗,减少元件数量及节省电路板空间。







图1:带启动电阻与不带启动电阻(内置电压启动电流源)对比。



  这系列控制器还采用轻载时频率反走技术和跳周期模式,降低轻载时的开关频率,从而提升能效;同时,开关频率在25 kHz时钳位,从而消除可听噪声。此外,这系列器件提供多种保护特性,如双启动电流电平、输入欠压及主电源过压保护、过载保护、双过渡保护阈值、软启动和闩锁保护等。这系列器件还提供可选的动态自供电(DSS)功能,从而无需辅助绕组; 并内置斜坡补偿,不需要外部设定。以NCP1238为例,这器件的典型应用电路图如图2所示。





图2:NCP1238典型应用电路图。 



应用设计步骤及要点



  1) 电源段设计



  要在设计中应用NCP1237/38/87/88系列控制器,首先要设计电源段。由于功率小于75 W,这个功率等级常见采用反激转换器。相应地,需要计算出这反激转换器相关元件参数,选择好恰当的元器件。例如,根据输出电压和输出电流可以计算出输出功率,再根据EPA相关标准来预估能效,结合输出功率和能效来预估输入功率,随后可以计算出平均输入电流,并计算出大电容值。有关电源段设计中电容、变压器、电感和MOSFET等参数的详细计算过程,参见参考资料(1)或(2)。



  值得一提的是,在电源的次级端,可以考虑采用同步整流技术来显著提升能效。在这方面,可以采用安森美半导体的NCP4302同步整流控制器。诸如适配器、充电器和机顶盒等空间敏感型反激应用中使用NCP4302这样的同步整流控制器,能够显著提升能效,而额外成本极低。NCP4302已经上市,新的NCP4303同步整流控制器也将于2010年上市。



  2) 设定过载补偿



  过载补偿(OPP)会影响初级峰值电流。我们可以根据相关公式计算出初级峰值电流,然后计算出过载补偿电阻值(ROPP)。安森美半导体已经创建过载补偿电子设计表格,方便用户恰当地选择ROPP及其对峰值电流(Ipeak)、瞬态电流(ITRAN)、输出功率(Pout)及瞬态功率(PTRAN)的影响。



 3) 降低空载输入能耗



  在降低空载(待机)输入能耗方面,除了采用前述内置启动高压电流源的无启动电阻设计和NCP1237/38/87/88这样的带有频率反走及跳周期模式的控制器,还可以采取其它众多途径或诀窍,如降低变压器泄漏电感、不允许动态自供电工作、减小VCC钳位电阻值、降低开关损耗、优化钳位电路、藉反馈电阻分压器减小涡流、为所有负载电流设定稳定的工作、降低TL431偏置电路损耗、降低次级整流器及其缓冲器的损耗和不使用输出电压显示LED等。



  4) 磁学设计



  磁性元件磁通密度应该以峰值电流来设计,并提供一些裕量(5%),从而防止饱和。另外,需要结合具体设计要求看是否需要100%的输出电流,若不是,就减小磁芯尺寸。例如,假定最大输出电流是3.5 A,但只在瞬态条件下需要这大电流,其长期的均方根(RMS)值仅1.75 A,负载系数仅为0.5(而非1)。设计人员减小磁芯尺寸后,就可以减小磁芯及铜损耗。变压器磁芯尺寸、绕组设计及气隙长度等计算同样参见参考资料(1)或(2)。



  5) 改善电磁干扰



  在适配器设计中,交流线路滤波、二极管缓冲器、直流输出滤波器、驱动器钳位、钳位环路和电源开关环路等可能会出现电磁干扰(EMI),故改善EMI同样是设计工程师面临的重要任务。相应地可以采取一些设计技巧或方法,如所有带射频电流的开关环路的面积均应较小,以两个扼流圈来分隔输入交流滤波器从而减小寄生电容耦合影响,以及关闭通过变压器注入射频电流的电路环路等。就二极管缓冲器而言,缓冲器电阻应当接近振铃电路的特征阻抗,且缓冲器的RC(电阻电容)时间常数应当相对于开关周期较小,但与电压上升时间相比应当较长。还可从电路板布线方面着手,,进一步改善EMI。



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