购物车0种商品
IC邮购网-IC电子元件采购商城
【图】高压硅堆性能好坏的检测方法
(2012/1/21 0:27:00)
高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成,检测时,可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆,其正向电阻值大于200kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值,则说明该高压硅堆已软击穿损坏。另一种方法是:高压硅堆有整流功能,将万用表的量程开关拨至直流电压档250V或500V档后,如图1d所示串联高压硅堆并接在220V交流电源上。由于高压硅堆的整流作用,万用表指针的偏转反映了半波整流后的电流平均值,因而高压硅堆与万用表就构成了一只半波整流式的交流电压表。

当被测高压硅堆按照正向接法连接时,万用表读数在30V以上时即为合格。当按反向接法连接时,万用表指针应反向偏转。若万用表指针始终不动,则可能是高压硅堆内部断路,使电流不能通过万用表,但也可能是高压硅堆已击穿。短路时交流电压虽能直接加于万用表,然而由于交流电频率为50Hz,万用表指针来不及摆动,所以量程开关拨在直流电压档的万用表总是处于零位上。因此,判断高压硅堆短路和断路,只要把万用表的量程开关拨至交流电压250V或500V档,若读数为220V交流电压值,则证明被测高压硅堆短路,若此时读数为零,则表明高压硅堆内部已断路。

浏览:(6881)| 评论( 0 )
博文评论

  • 昵 称:
  • 内 容:10~250个字符
  • 验证码: 验证码看不清楚?请点击刷新验证码
  •                      
  • 博文分类

    热点博文

    最新博文

    最新评论

    IC电子元件查询
    IC邮购网电子元件品质保障