(2023/11/22 7:00:00)
VMOSFET内部结构及原理VMOSFET内部结构及原理MOS 器件在刚开始阶段一直用于小功率电路，自从 VMOS 技术被移植到 MOS 功率器件后，使得半导体功率器件得到很大突破： MOSFET 虽然漏极电流可达到数安培，漏源电压也可达到 IOOV 以上，但由于漏源导通电阻大、频率特性差、硅片面...
(2023/11/21 18:00:00)
增强型MOS管结构及原理增强型MOS管结构及原理MOS管部分（ Metal oxide Semiconductor Field Effection Transistor ) MOS-FET 从本质上看来也属于“多子”器件，但从控制机理上说来它又不同于 J-FET 。 MOS...
(2023/11/21 11:00:00)
LC电流谐振原理LC电流谐振原理电流谐振现象实际上是不可能得到的，因为电感线圈总是存在电阻的，于是电路就变成了混联，谐振现象也就较为复杂。此电路参数发生谐振是有条件的，参数不合适可能不会发生谐振。在电路参数一定时，改变电源频率是否能达到谐振，要由下列条件决定：当电路发生谐振时，电路相当于一个电阻：...
(2023/11/21 7:00:00)
电位计结构及工作原理电位计结构及工作原理电位计(potentiometer)或称(电压计)，也称为“pots”或可变电阻器，通常被制造成不管使用多久均能维持原有的特性，若当位置传感器使用，电位计可以是直线或旋转式位置传感器。电位计输出一个电压值，其正比于沿着可变电阻器之滑动器...
(2023/11/20 18:00:00)
数字电位器工作原理数字电位器工作原理I2C总线数字电位器是美国Xicor公司推出的X9×××系列数字电位器中较有代表性的一种。它是把几个E2POT非易失性数字电位器集成在一起的单片CMOS微电路，具有二线串行I2C总线接口，易于软件控制，可直接读出、写入滑动端位置...
(2023/11/20 11:00:00)
雪崩光电二极管(APD)结构及原理雪崩光电二极管(APD)结构及原理当耗尽区中的场强达到足够大（~3*1O^5V/cm）时，光生载流子将被加速到很高的速度，在运动过程中与晶格中的原子碰撞时会使之电离，产生额外的电子空穴对。这些新生电子和空穴也被加速，发生新的碰撞和电离，产生更多的电子一空穴对。这个物...
(2023/11/20 7:00:00)
PIN-FET(PIN-TIA)光电组件电路及原理PIN-FET(PIN-TIA)光电组件电路及原理单个光电二极管作为接收器件使用常常很难实现高灵敏度，在要求高的场合经常将其与前端放大器集成在一个单片电路上并用金属屏蔽体密封。在高阻抗设计中，由于场效应管FET输入阻抗高，常被选为前端晶体管，与PIN...
(2023/11/19 18:00:00)
陶瓷湿度传感器/金属氧化物湿度传感器构造及原理陶瓷湿度传感器/金属氧化物湿度传感器构造及原理1. 陶瓷湿度传感器构造与原理：陶瓷湿度传感器又称金属氧化物湿度传感器，因其感湿材料是由金属氧化物粉末经加压成型、烧结而成陶瓷物。因烧结程度可得很多孔状物，而在多孔质表面上会吸附水蒸气，以形成吸附层，而吸附层...
(2023/11/19 11:00:00)
大林PID控制算法原理大林PID控制算法原理早在1968年，美国IBM公司的大林就提出了一种不同于常规PID控制规律的新型算法，即大林算法。该算法的最大特点是将期望的闭环响应设计成一阶惯性加纯延迟，然后反过来得到能满足这种闭环响应的控制器。对于如下图所示的单回路控制系统，Gc(z)为数字控制器，Gp...
(2023/11/19 7:00:00)
图解直流电动机原理图解直流电动机原理 最早的直流电动机是在，1820 年由实验阶段发明出来的。作为直流电源．当时是只有电池的时代，因而功率很小。现在由于直流发电机和整流器的发展．用于电车、卷扬机、起重机和离速电梯等中的大功率电动机都创造出来了。直流电动机的结构原理与直流发电机相同。根据用途和功率的不...
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