(2012/1/25 0:24:00)
1．微处理器集成电路的检测 微处理器集成电路的关键测试引脚是VDD电源端、RESET复位端、XIN晶振信号输入端、XOUT晶振信号输出端及其他各线输入、输出端。在路测量这些关键脚对地的电阻值和电压值，看是否与正常值（可从产品电路图或有关维修资料中查出）相同。不同型号微处理器的RESET复位电压也不相...
(2012/1/25 0:19:00)
激光二极管性能检测方法激光二极管性能检测方法1．阻值测量法 拆下激光二极管，用万用表R×1k或R×10k档测量其正、反向电阻值。正常时，正向电阻值为20~40kΩ之间，反向电阻值为∞（无穷大）。若测得正向电阻值已超过50kΩ，则说明激光二极...
(2012/1/25 0:14:00)
一种测量光耦传输特性的方法一种测量光耦传输特性的方法光电耦合器由发光二极管和受光三极管封装组成。如光电耦合器４Ｎ２５，采用ＤＩＰ－６封装，共六个引脚，①、②脚分别为阳、阴极，③脚为空脚，④、⑤、⑥脚分别为三极管的ｅ、ｃ、ｂ极。以往用万用表测光耦时，只分别检测判断发光二极管和受光三极管的好坏，对光耦的...
(2012/1/25 0:09:00)
用万用表测电容的几种方法用万用表测电容的几种方法在家电维修过程中，因电容漏电或容量变化而引发的故障可谓屡见不鲜且故障现象各异。一般的指针万用表和部分数字万用表都无法测量电容，特别是那些小电容，给维修造成很大的不便。在此，我给大家介绍几种小容量电容的测量方法，供参考。方法l：找一个β≥...
(2012/1/25 0:04:00)
高压硅堆检测方法高压硅堆检测方法 高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。 另一种方...
(2012/1/24 0:53:00)
变阻二极管检测方法变阻二极管检测方法 用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为4.5~6kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。...
(2012/1/24 0:48:00)
双基极二极管的检测方法1．电极的判别将万用表置于R×1k档，用两表笔测量双基极二极管三个电极中任意两个电极间的正反向电阻值，会测出有两个电极之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ，这两个电极即是基极B1和基极B2，另一个电极即是发射极E。再将黑表笔接发射极E，用红表笔依次去接触...
(2012/1/24 0:43:00)
肖特基二极管的检测方法肖特基二极管的检测方法 二端型肖特基二极管可以用万用表R×1档测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔接正极）为2.5~3.5Ω，投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0，则说明该二极管已开路或击穿损坏。 三端型肖特基二极管应先测出其...
(2012/1/24 0:38:00)
双向可控硅测试方法双向可控硅测试方法双向晶闸管除了一个电极G仍然叫控制极外，另外两个电极通常不再叫阳极和阴极，而统称为主电极T1和T2。双向晶闸管是一种N-P-N-P-N型5层结构的半导体，其符号和内部结构图见图1-1。 用万用表区分双向晶闸管电极的方法是：首先找出主电极T2。将万用表置于R&tim...
(2012/1/24 0:33:00)
测量光电二极管好坏的三种方法测量光电二极管有以下三种方法。 （1）电阻测量法：用万用表R×100或R×1K挡。像测普通二极管一样，正向电阻应为10K左右，无光照射时，反向电阻应为∞，然后让光电二极管见光，光线越强反向电阻应越小。光线特强时反向电阻可降到1K以下。这...
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