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【图】双积分式AD转换器的转换原理
(2023/11/24 18:00:00)
双积分式AD转换器的转换原理双积分式AD转换器的转换原理这种转换实际上是一种V/T(电压/时间)的转换。典型的双积分式AD转换器的基本组成可以用图5.2表示,它的一次转换基本工作原理可以分成三个工作阶段来描述。第一阶段Tl:模拟开关Sl导通,其余各模拟开关断开,此阶段为对输入电压积分采样阶段。通常,...
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【图】逐次逼近式AD转换器原理
(2023/11/24 11:00:00)
逐次逼近式AD转换器原理逐次逼近式AD转换器原理图5.4是逐次逼近式AD转换器结构框图,一般由电压比较器Nl、DA转换器、控制逻辑、移位寄存器和输出锁存器等组成。它的工作过程是这样的:当出现启动脉冲时,移位寄存器和锁存器全清为零,故DA输出也为零。当第一个时钟脉冲到达时,最高位移位寄存器被置成1,这...
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【图】二进制斜坡式AD转换器原理
(2023/11/24 7:00:00)
二进制斜坡式AD转换器原理二进制斜坡式AD转换器原理二进制斜坡式AD转换器的基本电路如图5.5所示。它由DA转换器、二进制计数器、控制门、比较器和控制逻辑等部分组成。其中,DA转换器可以是二进制加权电阻网络,也可以是T型R-2R网络(图中为后者),其输出可以是电流,也可以是电压(图中表示为电压输出)...
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【图】并行比较式AD转换器原理
(2023/11/23 18:00:00)
并行比较式AD转换器原理并行比较式AD转换器原理并行比较式AD转换器电路的基本组成如图5.6所示。这种电路结构,n位的AD转换器需要用2^n+1个电阻串联组成分压器,上、下两端两个电阻的阻值为侧2,其余2^n-1个电阻的阻值均为R,分压器上加参考电压VR。显然,除了上、下 两端的两个电阻以外,其余各...
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【图】锁相环噪声与干扰的主要来源
(2023/11/23 11:00:00)
锁相环噪声与干扰的主要来源锁相环噪声与干扰的主要来源噪声与干扰的作用于环路,会增加捕获的困难,降低跟踪性能,使输出的相位做随机的抖动。较强的干扰与噪声,将使环路发生跳周,失锁的 可能性增大。下面主要介绍两种噪声:相加噪声和振荡器内部噪声对环路的影响。 环路等效噪声带宽( 2 )采用 RC 积分滤波器...
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【图】典型RC正弦波振荡器电路原理
(2023/11/23 7:00:00)
典型RC正弦波振荡器电路原理典型 RC 正弦波振荡器电路原理采用 LC 器件作为振荡电路的反馈网络可以达到很高的输出频率,器件比较容易实现小体积。但当要求振荡器输出几十或者几百赫兹的信号时. LC 器件的器件取值将会很大,很难实现实用的产品,此时采用 RC 选频网络就会有很大的优势。 RC 反馈振...
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【图】哈特莱(Hartley)振荡电路原理
(2023/11/22 17:59:00)
哈特莱(Hartley)振荡电路原理电感分压反馈型正弦波振荡电路/哈特莱(Hartley)电路原理电感分压反馈型正弦波振荡电路也叫哈特莱(Hartley)电路。如图8.5(a)所示,其交流简化电路如图8.5(b)所示。参看图8.5(b),由晶体三极管和L1、L2、C构成的谐振回路组成一个具有正反馈的...
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【图】考比兹(Copitts)振荡电路原理
(2023/11/22 11:00:00)
考比兹(Copitts)振荡电路原理电容分压反馈型正弦波振荡器/考比兹(Copitts)电路原理电容分压反馈型电路,也称“考比兹”(Copitts)电路,如图8.6(a)所示,图8.6(b)是其交流简化电路。可以看出,它的基本结构与电感反馈型振荡器一样,只是将LC并联谐振回路...
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【图】VMOSFET内部结构及原理
(2023/11/22 7:00:00)
VMOSFET内部结构及原理VMOSFET内部结构及原理MOS 器件在刚开始阶段一直用于小功率电路,自从 VMOS 技术被移植到 MOS 功率器件后,使得半导体功率器件得到很大突破: MOSFET 虽然漏极电流可达到数安培,漏源电压也可达到 IOOV 以上,但由于漏源导通电阻大、频率特性差、硅片面...
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【图】增强型MOS管结构及原理
(2023/11/21 18:00:00)
增强型MOS管结构及原理增强型MOS管结构及原理MOS管部分( Metal oxide Semiconductor Field Effection Transistor ) MOS-FET 从本质上看来也属于“多子”器件,但从控制机理上说来它又不同于 J-FET 。 MOS...
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