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【图】6AH5电子管参数
(2023/3/2 0:20:00)
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【图】6AH4GT电子管参数
(2023/3/2 0:13:00)
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【图】6AG6电子管参数
(2023/3/2 0:10:00)
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NE567,LM567电气特性参数
(2023/3/2 0:09:00)
NE567,LM567电气特性参数NE567,LM567电气特性参数Philip的NE567有一定的温度工作范围,即0至+70℉。其电气特性与Philip的SE567大致相同,只是SE567的工作温度为-55至125℉。但是,567已定为工业标准音频解码器,有其它若干个多国半导体集成电路制造厂同时生...
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【图】功放芯片LM3886技术参数
(2023/3/2 0:09:00)
功放芯片LM3886技术参数功放芯片LM3886技术参数...
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8050,8550,9011,9012,9013,9014,9015,9018三极管参数
(2023/3/2 0:08:00)
8050,8550,9011,9012,9013,9014,9015,9018三极管参数8050,8550,9011,9012,9013,9014,9015,9018三极管参数表。下表是常用三极管8050,8550,9011,9012,9013,9014,9015,9018参数表 。...
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常用线性三端稳压器型号及参数
(2023/3/1 0:09:00)
常用线性三端稳压器型号及参数...
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【图】电子管E90CC参数
(2023/3/1 0:09:00)
电子管E90CC参数电子管E90CC参数类型:旁热式阴极双三极管主要用途:低频电压放大和倒相(基本数据)灯丝电压(Uf)=6.3V;灯丝电流(If)=0.4A;阳极供电电压(Uaa)=100V;阳极电流(Ia)=8.5mA;栅极电压(Ug)=﹣2.1V;跨导(S)=6mA/V;内阻(Ri)=4.5k...
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【图】耗尽型MOS管(MOSFET)特性曲线及主要参数
(2023/3/1 0:05:00)
耗尽型MOS管(MOSFET)特性曲线及主要参数耗尽型MOS管(MOSFET)特性曲线及主要参数上面介绍的是增强型 N 沟道 MOS-FET 的简单工作原理,对于 P 沟道的增强型 MOS-FET 来说,其偏置极性相反,原理相同。增强 MOS-FET 的特点是, N 沟道的建立是 UgS 的贡献,...
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【图】电子管6V6GT参数
(2023/3/1 0:05:00)
电子管6V6GT参数Base Octal (Int.Octal, IO) K8A, USA 1935 (Codex=Udb)Was used byRadio/TV-reception etc.FilamentVf 6.3 Volts / If: 0.45 Ampere / -: Indirect /...
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